Дирекция Института с глубоким прискорбием сообщает, что 18 ноября 2024 года скончался заведующий лабораторией №4, кандидат физико-математических наук Василий Евгеньевич Осташев

Осташев Василий Евгеньвич.

09.03.1947 - 18.11.2024

В.Е. Осташев с четвертого курса Московского физико-технического института работал в ИВТАН и всю свою последующую трудовую и научную деятельность он связал с нашим институтом. Он был известным специалистом в области импульсной электрофизики, взрывной магнитной плазмодинамики и сверхширокополосного электромагнитного излучения. Он являлся автором более 200 статей в российских и международных научных изданиях, 4 монографий и 12 патентов и авторских свидетельств. В.Е. Осташев имел репутацию авторитетнейшего специалиста среди электрофизиков и специалистов по импульсным электромагнитным излучениям; его отличала способность проводить четкие аналитические оценки процессов и одновременно быть выдающимся экспериментатором, работающим на самом современном уровне. Он был прекрасным методистом в проведении импульсных измерений.

Им были установлены принципиальные физические ограничения на предельно достижимые скорости электромагнитного разгона макротел. В области импульсной электрофизики В.Е. Осташев разработал ряд современных технологий создания мегаамперных и мегавольтных генераторов импульсов тока. Всего под его руководством и при непосредственном его участии были созданы и испытаны в полевых условиях более 20 мощных многомодульных наносекундных излучателей сверхширокополосных импульсов с высокими эксплуатационными характеристиками, а также проведен комплекс работ по выявлению устойчивости электронных управляющих систем к действию мощных электромагнитных импульсов нано- и субнаносекундной длительности. Он создал инженерную методику оценки критериальных параметров сверхширокополосных излучений, определяющих уровень их функционального воздействия на электронные устройства на основе современной микропроцессорной техники. Им был разработал уникальный компьютерный код для оценки параметров сверхширокополосного излучения, позволяющий прогнозировать эффективность функционирования электронных средств в условиях сложной электромагнитной обстановки. Он являлся признанным в стране авторитетом в вопросах разработки соответствующей спецтехники в интересах безопасности России.

Работы В.Е. Осташева в научной и прикладной областях отмечены руководством Академии наук и страны. В 1997 г. он был награжден медалью «В память 850-летия со дня основания г. Москвы», дважды награждался Почетной грамотой Российской академии наук. В 2014 году ему была вручена государственная награда – Орден Почета, а в мае 2024 года присвоено почетное звание «Почетный работник науки и высоких технологий Российской Федерации»

Василий Евгеньевич Осташев всегда был человеком высоких моральных убеждений и твердых научных принципов, которыми ни при каких обстоятельствах и никогда не поступался. Его всегда отличали высокая требовательность к себе и окружающим. Вместе с тем, он любил и понимал юмор.

Он называл себя теоретизирующим экспериментатором и такой комплексный подход к научным проблемам позволял ему добиваться значительных научно-технических результатов. В.Е. Осташева отличало образное и оригинальное мышление, что позволяло ему предлагать нестандартные решения. Его отличали широкий кругозор и глубокий интерес к происходящим событиях в науке и окружающем мире.

Коллектив лаборатории и института, а также научное направление в целом понесли поистине невосполнимую утрату.

Добрая память об этом незаурядном человеке останется в наших сердцах навсегда.

Прощание состоится в 14-00 в четверг 21 ноября в ритуальном зале морга Боткинской больницы по адресу: 2-ой Боткинский проезд. д. 5, корп. 33. Вход со стороны ул. Поликарпова, м. «Беговая», выход №5.