Сверхбыстрые процессы в полупроводниках в условиях образования электрон-дырочной плазмы с высокой концентрацией носителей при воздействии инфракрасных фемтосекундных лазерных импульсов
Вернуться к обычному виду

Сверхбыстрые процессы в полупроводниках в условиях образования электрон-дырочной плазмы с высокой концентрацией носителей при воздействии инфракрасных фемтосекундных лазерных импульсов


Степень:  к.ф.-м.н
ФИО:  Овчинников Андрей Владимирович
Диссертационный совет :  Д 002.110.02 (24.1.193.01)
Год защиты:  2007
Дата защиты:  07.11.2007
Сотрудник ОИВТ РАН:  Да
Специальность:  1.3.9 - физика плазмы
Научный руководитель (консультант):  д.ф.-м.н. Агранат Михаил Борисович
Автореферат:  Загрузить

Возврат к списку


Сверхбыстрые процессы в полупроводниках в условиях образования электрон-дырочной плазмы с высокой концентрацией носителей при воздействии инфракрасных фемтосекундных лазерных импульсов