|
|
|
|
Атомистическое моделирование для развития теории диффузии нанополостей и газонаполненных нанопузырьков в кристаллических материалах
Докладчик(и): Антропов А.С. (ОИВТ РАН/МФТИ) Дата, время проведения: 22 декабря 2022 года (четверг) в 11:00 Адрес: Семинар будет проходить в режиме удаленного доступа на базе сервера BigBlueButton Аннотация. Работа посвящена классическому молекулярно-динамическому (МД) моделированию диффузии нанополостей и газовых пузырьков в кристаллических решетках различных материалов, а также развитию соответствующей теории. Моделируется диффузия пустых полостей в ОЦК уране и ГЦК алюминии, а также пузырьков гелия в алюминии и пузырьков ксенона в диоксиде урана. Теоретически обоснован и реализован оригинальный метод ускоренного МД расчета коэффициента диффузии. Внесены дополнения в теорию нуклеации террас на гранях фасеточных пузырьков, которые продиктованы результатами МД расчетов. Рассмотрено влияние газа в пузырьке на поверхностную самодиффузию и подвижность пузырька в широком диапазоне давлений. Обнаружен новый механизм ускорения диффузии за счет образования кластера приповерхностных междоузельных атомов. Показано, что дислокационные петли, напротив, существенно тормозят диффузию нанопузырьков. Результаты микросекундных динамических МД расчетов, подкрепленные квантово-механическими статическими расчетами, сравниваются с экспериментальными данными. Семинар будет проходить в режиме удаленного доступа на базе сервера BigBlueButton: https://conf.jiht.ru/b/3y3-htq-3oo-ryx |