|
Объявление о конкурсе на замещение должности младшего научного сотрудника Лаборатории № 7.1., срок подачи документов до 25 ноября 2019 годаФедеральное государственное бюджетное учреждение науки Объединенный институт высоких температур Российской академии наук 125412, г. Москва, ул. Ижорская д. 13, стр. 2 объявляет конкурс на замещение вакантной должности
Специализация: Должность: младший научный сотрудник, 0,5 ставки Отрасль науки: Физика и астрономия Тематика исследований:
Исследования теплофизических свойств веществ в экстремальных состояниях. Развитие баз данных и разработка широкодиапазонных уравнений состояния веществ, в том числе с использованием методов компьютерного моделирования.
Задачи и критерии: Задачи: Проведение первопринципных расчетов методом квантовой молекулярной динамики коэффициента электронной теплопроводности и комплексной электропроводности для алюминия, свинца, тантала и вольфрама при температурах до 100 кК и плотности близкой к нормальной. Критерии оценки: - Наличие публикации, индексируемой в российских или международных информационно-аналитических системах научного цитирования.
Квалификационные требования: - Высшее профессиональное образование и опыт работы по соответствующей специальности, в том числе опыт научной работы в период обучения;
- Участие в числе авторов докладов в научных совещаниях, семинарах, молодёжных конференциях российского или институтского масштаба.
Условия: Должностной оклад: 15 827 руб. Стимулирующие выплаты: В соответствии с Положением об оплате труда работников ОИВТ РАН Трудовой договор: Срочный (48 месяцев) Социальные гарантии: Ежегодный основной отпуск
Дополнительно: Тип занятости: Частичная занятость Режим работы: Гибкий график
Лицо для получения дополнительных справок: Фамилия, имя, отчество: Олейникова Елена Николаевна E-mail: oleynikova-en@mail.ru Телефон: 8 (495) 485-85-36
Дополнительно: Условия и порядок проведения конкурса приведены на сайте ОИВТ РАН http://www.jiht.ru в разделе Документы / Порядок проведения конкурса на замещение должностей научных работников ОИВТ РАН |