|
Объявление о конкурсе на замещение должности ведущего научного сотрудника Лаборатории № 4.4.1., срок подачи документов до 28 сентября 2018 годаФедеральное государственное бюджетное учреждение науки Объединенный институт высоких температур Российской академии наук 125412, г. Москва, ул. Ижорская д. 13, стр. 2 объявляет конкурс на замещение вакантной должности
Специализация: Должность: ведущий научный сотрудник, 0,5 ставки Отрасль науки: Физика и астрономия Тематика исследований:
Создание методов генерации и изучение теплофизических свойств веществ при высоких плотностях энергии. Исследование взаимодействия мощных потоков энергии с веществом. Создание баз данных и разработка уравнений состояний широкого круга веществ и рабочих сред для перспективной энергетики
Задачи и критерии: Задачи: Определение структуры и исследование внутримолекулярной динамики органических и неорганических соединений на основе экспериментальных исследований методом газовой электронографии, а также квантово-химических расчетов.
Критерии оценки: - Число монографий, статей в рецензируемых журналах, патентов на изобретения – 7
Квалификационные требования: - доктор наук; - наличие докладов на общероссийских и зарубежных научных конференциях; - руководство исследованиями;
- иметь подготовленных докторов, кандидатов наук, магистров, бакалавров, или чтение лекций, или руководство аспирантами, студентами (бакалаврами или магистрами).
Условия: Должностной оклад: 23 087 руб. Стимулирующие выплаты: В соответствии с Положением об оплате труда работников ОИВТ РАН Трудовой договор: Срочный (60 месяцев) Социальные гарантии: Ежегодный основной отпуск
Дополнительно: Тип занятости: Частичная занятость Режим работы: Гибкий график
Лицо для получения дополнительных справок: Фамилия, имя, отчество: Олейникова Елена Николаевна E-mail: oleynikova-en@mail.ru Телефон: 8 (495) 485-85-36
Дополнительно: Условия и порядок проведения конкурса приведены на сайте ОИВТ РАН http://www.jiht.ru в разделе Документы / Порядок проведения конкурса на замещение должностей научных работников ОИВТ РАН |