|
Объявление о конкурсе на замещение должности научного сотрудника Лаборатории № 1.1.3., срок подачи документов до 02 декабря 2016 годаФедеральное государственное бюджетное учреждение науки Объединенный институт высоких температур Российской академии наук 125412, г. Москва, ул. Ижорская д. 13, стр. 2
объявляет конкурс на замещение вакантной должности
Специализация: Должность: научный сотрудник Отрасль науки: Физика и астрономия Тематика исследований: Создание методов генерации и изучение теплофизических свойств веществ при высоких плотностях энергии. Исследование взаимодействия мощных потоков энергии с веществом. Создание баз данных и разработка уравнений состояний широкого круга веществ и рабочих сред для перспективной энергетики.
Задачи и критерии: Задачи:
Экспериментальное исследование теплофизических свойств карбида рения, гафния и других металлов при быстром нагреве и высоком давлении окружающего газа.
Критерии оценки: - Число публикаций, индексируемых в российских и международных информационно-аналитических системах научного цитирования – 3
Квалификационные требования: - кандидат наук или окончание аспирантуры или высшее профессиональное образование и стаж работы по специальности не менее 3 лет; - участие в числе авторов докладов в общероссийских и зарубежных научных конференциях; - участие в числе исполнителей работ в проектах по программам РАН, в грантах, контрактах.
Условия: Заработная плата: 16744 руб. Стимулирующие выплаты: В соответствии с Положением об оплате труда работников ОИВТ РАН Трудовой договор: Срочный Социальный пакет: Да Найм жилья: Нет Служебное жилье: Нет Компенсация проезда: Нет
Дополнительно: Тип занятости: Полная занятость Режим работы: Полный день
Лицо для получения дополнительных справок: Фамилия, имя, отчество: Олейникова Елена Николаевна E-mail: oleynikova-en@mail.ru Телефон: 8 (495) 485-85-36
Дополнительно: Условия и порядок проведения конкурса приведены на сайте ОИВТ РАН http://www.jiht.ru в разделе Документы / Порядок проведения конкурса на замещение должностей научных работников ОИВТ РАН |