|
Объявление о конкурсе на замещение должности научного сотрудника Лаборатории № 2.1, срок подачи документов до 11 августа 2023 годаФедеральное государственное бюджетное учреждение науки Объединенный институт высоких температур Российской академии наук 125412, г. Москва, ул. Ижорская д. 13, стр. 2
объявляет конкурс на замещение вакантной должности
Специализация: Должность: научный сотрудник, 0,2 ставки Отрасль науки: Физика и астрономия
Тематика исследований: Физические основы плазменных технологий разделения веществ и синтеза материалов
Задачи и критерии: Задачи: Проведение исследований пространственных характеристик высокочастотного магнитного поля (аксиальной Bz (r,z,θ), радиальной Br (r,z,θ) и Bθ (r,z,θ) составляющих) в зависимости от магнитного поля и мощности разряда. Связать пространственные характеристики сильного высокочастотного электромагнитного поля с однородностью профиля генерируемой буферной плазмы и определить экспериментальные параметры для получения однородного профиля концентрации плазмы.
Критерии оценки: - Число статей в рецензируемых журналах – 3
Квалификационные требования: - кандидат наук или окончание аспирантуры, или высшее профессиональное образование и стаж работы по специальности не менее 3 лет; - участие в числе авторов докладов в общероссийских и зарубежных научных конференциях; - участие в числе исполнителей работ в проектах по программам РАН, в грантах, контрактах.
Условия: Должностной оклад: 12 896 руб. Стимулирующие выплаты: В соответствии с Положением об оплате труда работников ОИВТ РАН Трудовой договор: Срочный (48 месяцев) Социальные гарантии: Ежегодный основной отпуск
Дополнительно: Тип занятости: Частичная занятость Режим работы: Гибкий график
Лицо для получения дополнительных справок: Фамилия, имя, отчество: Олейникова Елена Николаевна E-mail: oleynikova-en@mail.ru Телефон: 8 (495) 485-85-36
Дополнительно: Условия и порядок проведения конкурса приведены на сайте ОИВТ РАН http://www.jiht.ru в разделе Документы / Порядок проведения конкурса на замещение должностей научных работников ОИВТ РАН |